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场化场化（b）存储器的开关耐久性。此外，交易已经报道了一系列2D材料中的各种RS行为，包括氧化石墨烯，过渡金属二硫化物（TMD），六方氮化硼和黑磷。
石墨烯可用作电极或电极与电介质之间的界面层，电量达以阻止原子扩散并限制导电细丝的数量。千瓦全国前列（d）制造的2D基于GaSe的FET和在空气中暴露一周的器件的传输特性。除了TMD之外，时市2D层状III-VI半导体材料由于其较好的电学和光学性质而备受关注。
在此，占比作者采用机械剥离的二维层状GaSe纳米片制备了基于GaSe的三端子记忆晶体管。位居图四：GaSe忆阻器RS机制的原理图（a）Vds=0的初始状态。
【成果简介】近日，宁夏年区内市四川师范大学接文静副教授联合香港理工大学郝建华教授将忆阻器和场效应晶体管(FET)的概念与二维(2D)层状材料作为有源半导体层相结合，宁夏年区内市提出了一种多端子混合系统——忆阻管和场效应晶体管(FET)。
【研究背景】由于低功耗，场化场化高速度和优越的可扩展性，忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。交易张峰个人社交平台主页。
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